전자공학개론

2026년도 국가공무원 9급 공채 필기시험 · 20문항

1번

다음 중 작은 저항값을 갖는 부하를 구동하기 위한 전압버퍼로 사용하기에 가장 적절한 증폭기는?

2번

10진수 -15를 8비트 2의 보수 형태로 표현하면?

3번

OSI(open system interconnection) 계층 중 송신 프로세스와 수신 프로세스를 서로 연결하는 기능을 수행하는 것으로서, 프로세스를 구분하기 위해 포트 번호를 부여하는 계층은?

4번

FM 송신단에 사용되는 프리엠퍼시스(pre-emphasis) 필터와 FM 수신단에 사용되는 디엠퍼시스(de-emphasis) 필터를 바르게 연결한 것은?

프리엠퍼시스 디엠퍼시스

5번

다음 (가) 입력 vin을 (나) 회로에 인가했을 때, 출력 전압 vout의 최댓값과 최솟값의 합[V]은? (단, 다이오드는 이상적이다)

6번

다음 진리표를 갖는 출력 F의 논리식은? (단, ×는 무관항이다)

A

B

C

D

F

0

0

0

0

×

0

0

0

1

1

0

0

1

0

×

0

0

1

1

1

0

1

0

0

×

0

1

0

1

1

0

1

1

0

1

0

1

1

1

×

1

0

0

0

0

1

0

0

1

0

1

0

1

0

0

1

0

1

1

0

1

1

0

0

1

1

1

0

1

0

1

1

1

0

0

1

1

1

1

1

7번

다음 회로에서 스위치가 오랜 시간 동안 열린 상태에 있다가 t = 0 [s]일 때 닫힌다면 iC(0+) [A], vC() [V], iL() [A]는?

UNDERiC(0+) 수식 수식

8번

반도체 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

9번

다음 증폭기 회로의 전압이득 |VoutVin|에 비례하는 것으로 옳은 것만을 모두 고르면? (단, IB는 이상적인 정전류원이고 C, BJT Q1은 활성영역에서 동작한다)

10번

다음 4 × 1 멀티플렉서에서 출력 Z의 논리식은? (단, 데이터선택 입력의 순서는 다음과 같다)

11번

다음 회로에서 R4에 흐르는 전류 I [A]는?

12번

MOSFET과 BJT의 특징으로 옳은 것만을 모두 고르면?

13번

다음 전력용 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 소스-드레인 사이의 PN 다이오드는 제조공정에서 만들어지는 내장된 내부 다이오드이다)

14번

다음 발진기 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 발진기의 전압이득은 A, 귀환 계수는 β이다)

15번

다음 증폭기 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 연산증폭기의 개방루프이득은 1,000이고 차단주파수는 1 [kHz]이다)

16번

다음 (가) D-래치 2개를 연결한 마스터-슬레이브 회로에서 CLKIN의 파형이 (나)와 같을 때, OUT의 파형으로 옳은 것은? (단, t0 이전에 OUT = ‘HIGH’ 였으며 D-래치와 인버터의 지연은 없다)

17번

다음 MOSFET 증폭기 회로의 전압이득 |VoutVin|은? (단, MOSFET의 전달컨덕턴스 gm = 1 [mA/V], C, 교류 출력저항 ro이다)

18번

다음 차동증폭기 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 수식는 이상적인 정전류원이고, 트랜지스터 Q1Q2는 활성영역에서 동작하고, 공통모드이득은 매우 작은 값으로 일정하다고 가정한다)

19번

다음 3단 귀환 RC 회로와 전압이득이 K인 증폭기로 구성된 발진기 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, K는 양수이다)

20번

다음 (가) 2차 대역통과필터의 전달함수에 대응하는 (나) 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)